深圳市利拓光电有限公司
Polycom Photonics Co., Ltd
光 传 感 、 光 检 测 、 光 通 信 高 性 能 激 光 器 芯 片 , 器 件 及 模 块
10G高速激光二极管
  • 1310nm法布里-珀罗(FP)
    Eblana的1310nmFP激光器以合理的价格提供了无与伦比的10 Gbps性能。它的InAlGaAs组成提供了可靠的,非冷却操作在一个广泛的操作温度范围。关键参数的紧密均匀性确保了无与伦比的大批量生产效率。
    技术属性
    1310nm发射
    单波长DFB(状)光谱
    10Gbps
    低阈值电流
    宽工作温度范围
    芯片,TO 或TOSA 三种选择
    符合RoHS标准
    应用
    10GbE(千兆位以太网)
    SDH STM-64
    SONET OC-192
    10G FC 光纤通道
  • 1310nm 离散模式(DM)
    与传统的DFB技术相比,Eblana的1310nm DM激光器在可承受的价格下提供了无与伦比的10 Gbps性能。它的应变量子阱InAlGaAs组成提供了可靠的,无模式跳跃,非冷却操作在一个广泛的操作温度范围。
    技术属性
    1310nm发射
    单波长(DFB型)光谱
    10Gbps
    低阈值电流
    宽工作温度范围
    芯片,TO-can或TOSA 三种选择
    符合RoHS标准
    应用
    10GbE(千兆位以太网)
    SDH STM-64
    SONET OC-192
    10G FC 光纤通道
2.5G激光二极管
  • 1310nm法布里-珀罗(FP)
    Eblana的1310nm 2.5G FP激光器是1310FP的选择,适用于要求高性能的大规模市场应用,同时又不影响降低成本的目标。Eblana的1310 FP的InAlGaAs成分在广泛的操作温度范围内提供了可靠的非冷却操作。关键参数的紧密均匀性确保了大批量生产效率。
    技术属性
    1310nm发射
    多模式的(Fabry-Perot)光谱
    2.5 Gbps
    低阈值电流
    宽工作温度范围
    芯片,或TOSATO-can 三种选择
    符合RoHS标准
    应用
    SONET OC-48/SDHSTM-16
    办公室内和办公室间链接
    光纤用户环路
    专用光网络
    SAN 1GFC、2GFC 光纤通道
  • 1310nm离散模式(DM)
    与传统的DFB激光技术相比,Eblana的1310 DM 能够以极具竞争力的价格提供高性能的单波长光源。它的应变量子阱InAlGaAs组成提供了可靠的,无模式跳跃,非冷却操作在一个广泛的操作温度范围。
    技术属性
    1310nm发射
    单波长(DFB型)光谱
    2.5Gbps
    窄谱宽(typ800khz)
    宽工作温度范围
    芯片,TO-can 或 TOSA 三种选择
    符合RoHS标准
    应用
    GPON(ONU)
    GEPON(ONU)
    WDM-PON
  • 1550nm法布里-珀罗(FP)
    Eblana的1550nm 2.5G FP激光器是在大众市场点对点光通信应用中应用的首选。给出了这种1550 FP激光器的高性能和长期可靠性。它的InAlGaAs组成提供了可靠的,非冷却操作在一个广泛的操作温度范围。关键参数的紧密均匀性确保了无与伦比的大批量生产效率。
    技术属性
    1550nm发射
    多模(法布里-珀罗)光谱
    2.5Gbps
    低阈值电流
    宽工作温度范围
    芯片,TO-can或TOSA 三种选择
    符合RoHS标准
    应用
    SONET OC-48/SDH STM-16
    环路光纤
    办公室内和办公室间链接
    专用光网络
  • 1550 nm 离散模式(DM)
    Eblana公司的1550 DM激光器提供了高性能的单波长光源,价格非常有竞争力,适用于大众市场的光纤通信应用。它的应变量子阱InAlGaAs组成提供了可靠的,无模式跳跃,非冷却操作在一个广泛的操作温度范围。与传统的DFB激光技术相比,Eblana的1550 DM具有令人信服的性能和成本优势。
    技术属性
    1550nm发射
    单波长(DFB型)光谱
    2.5Gbps
    窄谱宽(typ 800khz)
    宽工作温度范围
    芯片,TO-can或TOSA 三种选择
    符合RoHS标准
    应用
    长光路SONET OC-48/SDHSTM-16
    ATM交换机和路由器
    地铁边缘切换
长距离通信
  • 1550nm 窄线宽 (NLW)
    Eblana的窄谱线宽(NLW)系列激光器为单片机、超窄谱线宽激光器的发射标准设定在1550nm。这些产品有100 kHz、200 kHz和400 kHz 3个版本,可根据需要提供SMF或PM光纤。每个激光器模块都提供了一套完整的特性描述数据。
    技术属性
    窄线宽为100kHz
    稳定的单腔设计无需外部腔或反馈
    可由温度或电流调节的
    低噪声
    Low RIN - 160 dB/Hz
    对环境和机械振动的敏感性较低
    应用
    相干通信系统
     
    激光雷达
     
    光学测试与仪器
     
    干涉型光纤传感器
     
    射频和微波光子学
  • 1310 nm ADF
    Eblana公司的1310nm ADF系列激光器是一种高性能的单波长光源,封装为14针的蝶形带PM光纤尾纤。该激光器的频率响应和线性特性使其成为有线电视等长接模拟传输系统的理想选择。
    技术属性
    达到30mW的输出功率
    稳定的单腔无外部腔或反馈
    可由温度或电流调节的
    高线性
    low RIN-155dB/Hz
    应用
    模拟传输系统
     
    有线电视
     
    GSM / CDMA中继器
     
    光学传感
     
    硅光子学试验台
  • 1550 nm ADF
    Eblana公司的1550nm ADF系列激光器是一种高性能、大功率单波长光源,可封装在14针蝶形封装带PM光纤尾纤。这种激光器的高输出功率、低RIN和线宽使其与外部调制器相结合非常适合用于DWDM应用。
    技术属性
    60mW功率输出
    线宽< 1MHz
    稳定的单腔设计无外部腔或反馈。
    可由温度或电流调节
    Low RIN -160 dB/HZ
    应用
    相干通信系统
     
    DWDM系统
     
    光学测试与仪器
     
    干涉型光纤传感器
     
    射频和微波光子学
2.5G DFB 芯片
  • 2.5G 1310nm DFB芯片
    深圳市利拓光电有限公司的2.5G 1310nm DFB 半导体激光器芯片采用AlGaInAs材料,多量子阱结构设计,脊波导工艺,为单模边沿发射激光器芯片。该系列芯片具有低阈值、高带宽、宽温工作等特点,主要应用于GPON ONU产品。
    技术属性
    工作温度:-20-85℃
    阈值电流:典型值10mA
    斜效率:>0.35mW/mA
    边模抑制比:  >35dB
    应用
    光以太网
    光纤通信
    GPON
  • 2.5G 1270nm DFB 芯片
    深圳市利拓光电有限公司的2.5G 1270nm DFB 半导体激光器芯片采用AlGaInAs材料,多量子阱结构设计,脊波导工艺,为单模边沿发射激光器芯片。该系列芯片具有低阈值、高带宽、宽温工作等特点,主要应用于10G非对称PON网络。
    技术属性
    工作温度:-20-85℃
    阈值电流:典型值10mA
    斜效率:>0.35mW/mA
    边模抑制比:  >35dB

     

    应用
    光以太网
    光纤通信
    XGPON
  • 2.5G 1490nm DFB 芯片
    深圳市利拓光电有限公司的2.5G 1490nm DFB 半导体激光器芯片采用AlGaInAs材料,多量子阱结构设计,脊波导工艺,为单模边沿发射激光器芯片。该系列芯片具有低阈值、高带宽、宽温工作等特点,主要应用于GPON OLT及点对点应用。
    技术属性
    工作温度:-5-85℃
    阈值电流:典型值9.5mA
    斜效率:>0.35mW/mA
    边模抑制比:  >35dB
    应用
    光以太网
    光纤通信
    GPON OLT
  • 2.5G 1550nm DFB 芯片
    深圳市利拓光电有限公司的2.5G 1550nm DFB 半导体激光器芯片采用AlGaInAs材料,多量子阱结构设计,脊波导工艺,为单模边沿发射激光器芯片。该系列芯片具有低阈值、高带宽、宽温工作等特点,主要应用于点对点产品。
    技术属性
    工作温度:-20-85℃
    阈值电流:典型值10mA
    斜效率:>0.25mW/mA
    边模抑制比:  >35dB
    应用
    光以太网
    光纤通信
    P to P
10G DFB 芯片
  • 10G 1270nm DFB 芯片
    深圳市利拓光电有限公司的10G 1270nm DFB 半导体激光器芯片采用AlGaInAs材料,多量子阱结构设计,脊波导工艺,为单模边沿发射激光器芯片。该系列芯片具有低阈值、高带宽、宽温工作等特点,主要应用于XGSPON产品。
    技术属性
    工作温度:-20-85℃
    阈值电流:典型值8mA
    斜效率:>0.32mW/mA
    边模抑制比:  >35dB
    应用
    光以太网
    光纤通信
    XGSPON
  • 10G 1310nm DFB 芯片
    深圳市利拓光电有限公司的10G 1310nm DFB 半导体激光器芯片采用AlGaInAs材料,多量子阱结构设计,脊波导工艺,为单模边沿发射激光器芯片。该系列芯片具有低阈值、高带宽、宽温工作等特点,主要应用于以太网以及4G无线前传接入网络。
    技术属性
    工作温度:-20-85℃
    阈值电流:典型值8mA
    斜效率:>0.35mW/mA
    边模抑制比:  >35dB
    应用
    光以太网
    光纤通信
    4G无线前传接入网络
10G CWDM DFB 芯片
  • 10G CWDM (1271~1371nm) DFB 芯片
    深圳市利拓光电有限公司的10G CWDM 1271~1371nm DFB 半导体激光器芯片采用AlGaInAs材料,多量子阱结构设计,脊波导工艺,为单模边沿发射激光器芯片。该系列芯片具有低阈值、高带宽、宽温工作等特点,主要应用于以太网以及4G/5G无线前传接入网络。
    技术属性
    工作温度:-20-85℃
    阈值电流:典型值8mA
    斜效率:>0.2mW/mA
    边模抑制比:  >35dB
    应用
    光纤通信
    光以太网
    4G/5G无线前传接入网络
25G CWDM DFB 芯片
  • 25G CWDM (1271~1371nm) DFB 芯片
    深圳市利拓光电有限公司的10G 1310nm DFB 半导体激光器芯片采用AlGaInAs材料,多量子阱结构设计,脊波导工艺,为单模边沿发射激光器芯片。该系列芯片具有低阈值、高带宽、宽温工作等特点,主要应用于数据中心100G光模块和5G无线前传接入网络。
    技术属性
    工作温度:-20-85℃
    阈值电流:典型值8mA
    斜效率:>0.25mW/mA
    边模抑制比:  >30dB
    应用
    数据中心
    100G 光模块
    5G无线前传接入网络
2.5G DFB TO
  • 2.5G 1310nm DFB TO
    深圳市利拓光电有限公司的2.5G 1310nm DFB 半导体激光器TO采用TO56的管座搭配高折射大球透镜等封装形式。该系列TO具有低阈值、宽温工作、高耦合效率、高可靠性等特点,主要应用于GPON产品。
    技术属性

    工作温度:-20-85℃

    阈值电流:典型值10mA

    输出功率:>7.5mW

    边模抑制比:  >35dB

    应用

    光以太网

    光纤通信

    GPON

  • 2.5G 1270nm DFB TO
    深圳市利拓光电有限公司的2.5G 1270nm DFB 半导体激光器TO采用TO56的管座搭配高折射大球透镜等封装形式。该系列TO具有低阈值、宽温工作、高耦合效率、高可靠性等特点,主要应用于XGPON产品。
    技术属性

    工作温度:-20-85℃

    阈值电流:典型值10mA

    斜效率:>0.35mW/mA

    边模抑制比:  >35dB

    应用

    光以太网

    光纤通信

    XGPON

  • 2.5G 1490nm DFB TO
    深圳市利拓光电有限公司专业研发生成销售气体传感、计量检测和光纤通信用半导体激光器芯片、器件和模块。专注于半导体激光气体传感产品解决方案。批量提供全系列650nm-2350nm全波长半导体激光器产品,可根据客户要求定制波长760nm-2330nm激光器,激光器封装形式有TO39、TO56、TO60、14针蝶形封装。 交货周期:4-8周 2.5Gbps 1490nm DFB TO  型号:LV02-DT49-CA2 用途:PON 领域 高性能光通信 2.5Gbps 1490nm DFB TO  型号:LV02-DT49-CA2 2.5Gbps 1490nm DFB TO激光芯片是为高性能光通信应用而设计 •储存温度:-40℃-85℃ •工作温度:-5-75℃ •反向电压:最大值2V •正向电流:最大值100mA •PD正向电流:最大值10mA •PD反向电压:最大值2V •阈值电流:典型值10mA(25℃)最大值: 12mA(25℃)25mA(85℃) •正向电压:最大值:25V •斜效率:最小值0.3mW/mA最大值0.55mW/mA •边模抑制比:最小值35dB •上升/下降时间:120ps •峰值波长:1485 1490 1495nm •PD暗电流:最大值100nA •PD背光电流:最小值100uA 最大值:1000uA
    技术属性
10G DFB TO
  • 10G 1310nm DFB TO
    深圳市利拓光电有限公司专业研发、生成、销售气体传感、计量检测和光纤通信用半导体激光器芯片、器件和模块。专注于半导体激光气体传感产品解决方案。批量提供全系列650nm-2350nm全波长半导体激光器产品,可根据客户要求定制波长760nm-2330nm激光器,激光器封装形式有TO39、TO56、TO60、14针蝶形封装。 交货周期:2-8周 10Gbps 1310nm DFB 激光器   用途:5G网络应用中 10Gbps 1310nm DFB 激光器是为高性能光通信应用而设计 •储存温度:-40℃-85℃ .工作温度:-5-70℃ •反向电压:最大值2V •正向电流:最大值100mA •PD正向电流:最大值10mA •PD反向电压:最大值10V •阈值电流:典型值10mA(25℃)25mA(85℃) •正向电压:最大值:2v •斜效率:最小值0.3mW/mA •边模抑制比:最小值35dB •峰值波长:1300 1310 1320nm •PD暗电流:最大值100nA •PD背光电流:最小值150uA 最大值:950uA
    技术属性
  • 10G 1270nm DFB TO
    深圳市利拓光电有限公司专业研发生成销售气体传感、计量检测和光纤通信用半导体激光器芯片、器件和模块,专注于半导体激光气体传感产品解决方案。批量提供全系列650-2350nm全波长半导体激光器产品,可根据客户要求定制波长760nm-2330nm激光器,激光器封装形式有TO39、TO56、TO60、14针蝶形封装。 交货周期:2-8周 公司所售出的产品如有质量问题支持退换货服务,可以根据客户的需求开票. 10Gbps 1270nm DFB TO  型号:LV02-DT27-CB2 用途:5G网络应用中 10Gbps 1270nm DFB TO是为高性能光通信应用而设计 •储存温度:-40℃-85℃ •工作温度:-5-70℃ •反向电压:最大值2V •正向电流:最大值100mA •PD正向电流:最大值10mA •PD反向电压:最大值10V •阈值电流:典型值10mA(25℃)25mA(85℃)最大值15mA(25℃) 35mA(85℃) •正向电压:典型值:1.2v 最大值1.5v •斜效率:最小值0.3mW/mA •边模抑制比:最小值35dB •峰值波长:1260 1270 1280nm •PD暗电流:最大值100nA •PD背光电流:最小值150uA 最大值:950uA
    技术属性
  • 10G 1330nm DFB TO
     深圳市利拓光电有限公司专业研发、生产、销售气体传感、计量检测和光纤通信用半导体激光器芯片、器件和模块,专注于半导体激光气体传感产品解决方案。批量提供全系列的650nm-2350nm全波长半导体激光器产品,可根据客户要求定制波长760nm-2330nm激光器,激光器封装形式有TO39、TO56、TO60、14针蝶形封装。 交货周期:2-8周 10Gbps 1330nm DFB TO  型号:LV02-DT33-CB2 用途:5G网络应用中 10Gbps 1330nm DFB TO  型号:LV02-DT33-CB2 10Gbps 1330nm DFB TO激光芯片是为高性能光通信应用而设计 •储存温度:-40℃-85℃ •工作温度:-5-70℃ •反向电压:最大值2V •正向电流:最大值100mA •PD正向电流:最大值10mA •PD反向电压:最大值10V •阈值电流:典型值10mA(25℃)25mA(85℃)最大值15mA(25℃) 35mA(85℃) •正向电压:典型值:1.2v 最大值1.5v •斜效率:最小值0.3mW/mA •边模抑制比:最小值35dB •峰值波长:1320 1330 1340nm •PD暗电流:最大值100nA •PD背光电流:最小值150uA 最大值:950uA
    技术属性
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